需求背景：
第三代半导体材料，如碳化硅和氮化镓，以其优越的物理和化学特性而广泛应用于微纳器件。传统的化学机械抛光方法，在面对这类高硬脆性且化学性质稳定的材料时难以在保证加工质量的同时，实现高效且低成本的晶圆加工。发展电化学机械抛光技术有望实现第三代半导体晶圆的高效、低成本、高质量加工，为第三代半导体器件的广泛应用开辟新的道路。
攻关内容：
开展碳化硅、氮化镓等第三代半导体晶圆电化学机械抛光技术研究，突破晶圆超光滑表面高效抛光的耦合与调控等关键技术。实现碳化硅、氮化镓等半导体晶圆纳米精度表面的高效加工，研制新一代电化学机械抛光装备。
应用前景：
在半导体制造过程中，电化学机械抛光技术可以用于抛光晶圆表面，去除表面缺陷和残留物，提高晶圆表面质量和形貌，从而提高半导体器件的性能和可靠性。
